| 研究課題/領域番号 |
24710130
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 (2013)
独立行政法人物質・材料研究機構 (2012) |
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研究代表者 |
熊谷 和博 独立行政法人産業技術総合研究所, 計測標準研究部門, 研究員 (20582042)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 走査電子顕微鏡法 / 二次電子 / コントラスト / 薄膜 / 電子分光 / 検出器特性 / 走査電子顕微鏡 / 二次電子像 / 表面ポテンシャル |
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| 研究概要 |
近年，半導体基板を有する数nmの薄膜試料のSEM二次電子像は，薄膜の形状ではなく，表面ポテンシャルを反映したコントラストを示し，また，二次電子の中でも特に低エネルギー成分が像形成に寄与しているとの報告がなされている．これに関して，半導体-薄膜接合を考慮したモデルが提唱されているが，充分な検証はなされていない．そこで本課題では，(1)SEM装置における二次電子検出特性測定の高度化，(2)組成傾斜をもったモデル薄膜試料を用いたコントラスト原理の検証を行った．モデル薄膜試料では，表面ポテンシャルよりもバルクとしての性質が強調された二次電子像が得られ，像形成モデルの妥当性について疑問が示された．
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