| 研究課題/領域番号 |
24740196
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
物性Ⅰ
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
矢田 祐之 東京大学, 新領域創成科学研究科, 助教 (60573144)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
|
|---|
| キーワード | 光誘起相転移 / テラヘルツ分光 / 銅酸化物 / ヘテロ接合 |
|---|
| 研究概要 |
銅酸化物単膜試料(La1-xSrxCuO4)、チタン酸化物単膜試料(TiO2)、その二つのヘテロ接合試料において光ポンプ・テラヘルツプローブ分光を行った。銅酸化物単膜試料においては光照射によって過渡的に超電導状態が壊れ、その回復に数十ピコ秒かかることを見出した。TiO2単膜試料においては光照射によってDrude応答が現れることを見出した。ヘテロ接合試料においては光キャリア注入による超電導状態の出現は観測されなかった。これを観測するためにはドーピング濃度が極力制御されたヘテロ接合試料を用いて、4 Kまで冷却可能なオプティスタットを用いて実験を行う必要があることがわかった。
|
