研究課題/領域番号 |
24740226
|
研究種目 |
若手研究(B)
|
配分区分 | 基金 |
研究分野 |
物性Ⅱ
|
研究機関 | 新潟大学 |
研究代表者 |
中野 智仁 新潟大学, 自然科学系, 准教授 (60507953)
|
研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
|
研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
|
配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2013年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2012年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
|
キーワード | 圧力誘起超伝導 / 異方的近藤 / 磁気抵抗効果 / 超伝導 / 圧力 / 国際情報交換 |
研究概要 |
本研究は申請者らが発見したCePtSi2における圧力誘起超伝導, 巨大磁気抵抗および異方的な近藤散乱の発現機構を解明するため,CePtSi2およびその関連物質のフラックス法による純良単結晶試料を育成し,圧力下における輸送特性測定を行い,主に以下を明らかにした。以下に主な結果を示す。(1)各結晶軸に対して輸送特性を明らかにし,圧力誘起超伝導が価数揺らぎの影響を受けていることを示唆した。(2) 磁化の異方性に対応して,c軸方向の磁気抵抗効果が強大であるのに対し,b軸方向では極端に小さいことを明らかにした。これは異方的な近藤散乱に起因していると考えられる。
|