| 研究課題/領域番号 |
24750052
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
無機化学
|
|---|
| 研究機関 | 筑波大学 |
|---|
研究代表者 |
小谷 弘明 筑波大学, 数理物質系, 助教 (10610743)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2012年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
|
|---|
| キーワード | オキソ錯体 / 電子移動 / 水素引き抜き反応 / 酸化反応 / クロム(V)-オキソ錯体 / 基質酸化反応 / 水素原子移動 / 高原子価オキソ錯体 / クロム / 酸化還元電位 / 反応機構 |
|---|
| 研究概要 |
モノアニオン性支持配位子を有する新規クロム(V)オキソ錯体の合成と基質酸化反応における反応性評価を行った。その中でクロム(V)オキソ錯体に関する電子移動特性として、電子供与体との電子移動反応の解析から一電子還元電位（Ered）を1.23 V vs SCE、再配列エネルギーの値を1.03 eVと決定した。また、クロム(V)オキソ錯体を酸化剤としたベンジルアルコール誘導体酸化反応における反応速度論解析を行った結果、一段階の水素引き抜き経由から段階的な電子/プロトン移動経由への反応機構の切り替わりの観測に初めて成功した。
|
