| 研究課題/領域番号 |
24750178
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
機能材料・デバイス
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
飯野 裕明 東京工業大学, 像情報工学研究所, 准教授 (50432000)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2012年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 過冷却液晶相 / アニール / 高移動度 / 有機トランジスタ / 多結晶薄膜 / 溶液プロセス / 耐熱性 / 液晶性 / ボトムコンタクト / コンタクト抵抗 / 過冷却 / 熱アニール / バイレイヤー構造 |
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| 研究成果の概要 |
均一な結晶製膜が溶液プロセスで製膜でき、高耐熱性を有する有機トランジスタ材料として、過冷却液晶相を発現する有機半導体材料に注目した。本研究で見いだされた有機半導体は室温において過冷却液晶相を発現する事で、平坦性に優れた液晶薄膜を前駆状態とすることで均一な結晶薄膜が製膜でき、120度5分間の熱アニールを加えると多結晶薄膜にもかかわらず10cm2/Vsを超す高移動度を示す有機トランジスタが実現できた。さらに、相転移温度の非対称性により140度までの熱ストレスに対して移動度は変化せず、溶液プロセス適合性と高耐熱性、さらには高移動度を備え持つ高品質なトランジスタ材料の実現に成功した。
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