研究課題
若手研究(B)
遷移金属酸窒化物の高品質なエピタキシャル薄膜を合成し、その電子機能を探索した。d0バンド絶縁体であるSrTaO2N薄膜が基板からの圧縮歪によって強誘電性とリラクサー強誘電体の混相となること、およびこれらの性質が酸素と窒素の配列と関係がある可能性を明らかにした。また、SrTaO2NやアナターゼTaONに伝導電子を導入し、絶縁体から金属まで電気伝導性を制御することに成功した。さらに、固相エピタキシャル成長を用いてLaSrMnO3-xNx薄膜を合成し、窒素導入による正孔ドープに伴ってキュリー温度が上昇することを確認した。これらの結果は、遷移金属酸窒化物が電子機能材料として有望であることを示す。
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Crystal Growth & Design
巻: 14 号: 1 ページ: 87-90
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Chemistry of Materials
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http://www.s.u-tokyo.ac.jp/ja/press/2013/50.html