| 研究課題/領域番号 |
24760011
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
今出 完 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (40457007)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム / 酸化ガリウム / 高温成長 / 高速成長 / 結晶工学 / 結晶成長 / 半導体物性 / 窒化ｶﾞﾘｳﾑ / 酸化ｶﾞﾘｳﾑ |
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| 研究概要 |
本研究は、高品質窒化ガリウム(GaN）インゴットの実現を目指したGaN成長技術の開発を目的として実施され、主に以下の成果が得られた。(1)育成温度の高温化、水素キャリアガス、種基板表面処理過程の最適化により種結晶の品質を維持したまま180um/hの高速成長を実現した。(2)長時間成長に向けて安定なGa2O供給を実現する新規Ga2O生成反応系(金属Ga（融点：約30℃）＋H2Oガス)を発見した。(3)流体解析に基づいた新規CVD構造にて長時間育成を行い、最大で400um厚結晶を得ることに成功した。
以上の成果から、本手法が原理的にGaNインゴットの作製に有用な手法であると結論づけた。
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