| 研究課題/領域番号 |
24760012
|
|---|
| 研究種目 |
若手研究(B)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
|
|---|
| 研究機関 | 山口大学 |
|---|
研究代表者 |
岡田 成仁 山口大学, 理工学研究科, 助教 (70510684)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
|
| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2012年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
|
|---|
| キーワード | 発光ダイオード / 窒化ガリウムインジウムテンプレート / 偏光特性 / LED / 非極性面 / InGaN / 高効率化 / seimpolar / Nitiride / InGaN underlying layer |
|---|
| 研究概要 |
本研究課題により、LEDの性能を最大限引き出すことのできる非極性面InGaNテンプレート上LEDの作製及び評価に行った。偏光特性を制御することにより、LEDを用いた液晶ディスプレイ・レーザーダイオードの効率を上げることのできるがInGaNテンプレートを用いることによって偏光特性を自在に制御可能であることを見出した。また、現在のLEDの問題となっている高電流注入時の効率低下においてInGaNテンプレートは効果的であり、高電流注入時にInGaNテンプレート上に作製したLEDは従来型LEDの出力を最大で6倍まで高めることに成功した。
|
