| 研究課題/領域番号 |
24760031
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 豊田工業大学 (2013)
早稲田大学 (2012) |
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研究代表者 |
神岡 武文 豊田工業大学, 工学(系)研究科(研究院), 研究員 (00434332)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | シリコン / ニッケル / 走査型トンネル顕微鏡 / イオン銃 / シリサイド / 欠陥 / 核形成 / イオン注入 / 表面・界面物性 / プラズマ / 結晶欠陥 |
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| 研究概要 |
ナノスケールSiトランジスタにおける数十ナノメートル級の金属電極形成に関する学理構築を目的とし、金属イオン照射によるシリコン表面改質の素過程を原子論的スケールで調査した。イオン銃と走査型トンネル顕微鏡の複合装置を用いて、シリコン表面に対するニッケルイオン照射過程をその場かつ実時間で観察する技術を構築し、初期シリサイド化が空孔型欠陥の近傍で促進されることを明らかにした。また、同観察技術を立体シリコン構造にも応用し、低エネルギーのイオン衝突により誘起される表面ラフネスをその場で評価する手法を提案および実証した。
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