| 研究課題/領域番号 |
24760032
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
SANG Liwen 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 研究員 (90598038)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2013年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2012年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 薄膜 / solar cell / Si / InGaN / 太陽電池 / 異種材料 |
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| 研究概要 |
本研究では新規デバイスコンセプトとして、p型のpoly-Siやa-Si:H薄膜をn型の高In組成InGaN薄膜上に成長させることを提案する。InGaN薄膜上にp型のa-Si:Hか多結晶Si(プラズマCVD )を堆積させる、InGaN層のp型化の難しさを克服するとともに、p型Si系材料との接合によって長波長側への感度が向上すること。長波長側への感度が向上のためにInGaN活性層に多層量子ドット構造を利用した中間バンドの形成をする。
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