| 研究課題/領域番号 |
24760033
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
大伴 真名歩 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 先端基礎研究センター, 博士研究員 (20610299)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2012年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
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| キーワード | スピン偏極ヘリウム脱励起分光法 / 六方晶窒化ホウ素 / グラフェン / スピントロニクス / 磁性 / 準安定原子線 / 準安定原子 / スピン偏極準安定ヘリウム脱励起分光 / 表面科学 |
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| 研究概要 |
本研究ではグラフェンと均一な界面を作る六方晶窒化ホウ素（h-BN）を、グラフェン・スピントロニクスのトンネル絶縁層とすることを目指して、スピン注入効率に影響しうるh-BNと磁性金属界面の電子・スピン状態を評価した。
最表面敏感なスピン偏極ヘリウム脱励起分光法を用いることで、単層h-BNとNi(111)やCo(0001)の界面における軌道混成によってh-BNに誘起されたスピン偏極ギャップ内準位（Ni, Coの多数スピンの向きに偏極）を選択的に検出できた。このようなスピン偏極界面準位は、素子の磁気抵抗比の符号や大きさに影響するものであり、高性能素子デザインに貢献する結果であると評価できる。
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