| 研究課題/領域番号 |
24760034
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー |
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研究代表者 |
中尾 祥一郎 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー, 実用化実証事業 透明機能材料グループ, 研究員 (50450771)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 透明導電膜 / 酸化スズ / PLD / エッチング / 薄膜 / スパッタ / スパッタリング |
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| 研究概要 |
本研究は固相成長(非晶質からの結晶化)と擬エピタキシャル成長を組み合わせる事で、エッチングが用意な酸化スズ薄膜の低抵抗化に成功した。
まず非晶質酸化スズ前駆体薄膜の輸送特性を調べ、非晶質前駆体においても酸素分圧の最適化によって低抵抗化が可能である事を見出した。。
ついで幾つかのシード層候補の中からアナターゼ型TiO2をシード層として用いる事で導電性の改善が認めらる事を見出した。しかしながら固相エピタキシャル成長は起きておらず、その機構は不明である。
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