| 研究課題/領域番号 |
24760042
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
廣理 英基 京都大学, 物質-細胞統合システム拠点, 准教授 (00512469)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | THz分光 / 非線形分光 / 高強度THz発生 / 半導体光物性 / 量子井戸 / 量子ドット / 光物性 / 半導体 / 超高速分光 / テラヘルツ非線形光学 / 半導体量子ドット |
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| 研究概要 |
本研究は、光電子デバイスへの応用が期待される半導体量子ドット・井戸試料に対し、THzパルスを用いた発光現象の解明および制御法の確立を目的としている。高密度励起状態において荷電励起子が生成されることを明らかにし、従来OFF状態の生成にはオージェ過程が必要とされる定説を覆す結果を得た。OFF状態は励起キャリアが不純物準位に束縛されることが原因の1つと考えられている。また、GaAs量子井戸における不純物準位に対しTHz非線形光学応答の観測を行い、従来の光学的手法では観測できなかった高品質GaAs量子井戸における束縛キャリアの存在を明らかにした。
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