| 研究課題/領域番号 |
24760247
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
鷹林 将 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (00464305)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2012年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | グラフェン / ダイヤモンドライクカーボン (DLC) / 電界効果トランジスタ / 電界効果トランジスタ (FET) / 光電子制御プラズマCVD (PA-PECVD) / ダイヤモンドライクカーボン |
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| 研究概要 |
グラフェンは、シリコンなどの既存半導体の値を凌駕するキャリア移動度を示し、現行電子バイスの微細化限界を打破する材料として注目されている。しかしながらグラフェンは炭素質ゆえに、従来の二酸化シリコン等の酸化物誘電材料を用いた電界効果トランジスタ(FET)構造には、酸化ダメージのために適用できない。
そこで代表者は「光電子制御プラズマCVD法」を用いて、グラフェン上へ同じ炭素材料であるダイヤモンドライクカーボン(DLC)の低ダメージ成膜を行い、DLCゲート絶縁膜グラフェンFETを作製した。その相互コンダクタンスを検討したところ、二酸化ハフニウム等の高誘電率材料を使用した場合に匹敵する性能を得た。
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