フェムト秒パルス収束電子線によるワイドギャップ窒化物半導体の時空間同時分解計測

• 研究課題/領域番号: 24760250
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 羽豆 耕治 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (30367057)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2014-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2013年度)
• 配分額: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円); 2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円); 2012年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
• キーワード: 光物性 / 時空間同時分解カソードルミネッセンス計測

研究概要

低転位密度c面GaN局所キャリアダイナミクスを、時間空間同時分解カソードルミネッセンス測定によって評価した。前面入射型光電子銃の高光電子放出効率化により低加速電圧で表面下の欠陥構造評価が可能となった。 高分解能カソードルミネッセンス測定により反転領域界面近傍で、非輻射再結合チャネルの視覚化できるようなった。

研究成果

• [雑誌論文] Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-exciitation-type photoelectron gun (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Furusawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: vol. 8 ページ: 0421081-4
• [雑誌論文] Local carrier dynamics around the sub-surface basal-plane stacking faults of GaN studied by spatio-time-resolved cathodoluminescence using a front-excitation-type photoelectron-gun (2013)
  • 著者名/発表者名: K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, H. Ikeda, K. Fujito, and S. F. Chichibu
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 103 号: 5 ページ: 0521081-4
  • DOI: 10.1063/1.4817297
  • 査読あり
• [雑誌論文] Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, K. Furusawa, H. Namita, S. Nagao, K. Fujito, and S. F. Chichibu
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: vol.101 ページ: 2121061-4
• [学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会(30p-G21-3)
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2013-03-30
• [学会発表] 高輝度表面入射型パルス電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるHVPE成長GaN基板の評価 (2013)
  • 著者名/発表者名: 石川陽一,古澤健太郎,田代公則,羽豆耕治,長尾哲,池田宏隆,藤戸健史,秩父重英
  • 学会等名: 2013年春季応用物理学会
  • 発表場所: 神奈川県
• [学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会(12p-H10-21)
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
  • 年月日: 2012-09-12
• [学会発表] m面GaN基板上にNH_3-MBE成長したAl_<0.2>5Ga_0.75Nの時間空間分解CL評価-GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響- (2012)
  • 著者名/発表者名: 秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, (12p-H10-22)
  • 年月日: 2012-09-12
• [学会発表] 六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 石川陽一,田代公則,羽豆耕治,古澤健太郎,小南裕子,原和彦,秩父重英
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学, (12p-H10-23)
  • 年月日: 2012-09-12
• [学会発表] (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan, ( No. MoP-GR-54)
• [学会発表] 表面入射型パルス光電子銃を搭載した時間空間分解カソードルミネッセンス装置によるワイドバンドギャップ半導体の評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 古澤健太郎,石川陽一,田代公則,羽豆耕治,秩父重英
  • 学会等名: 2012年秋季応用物理学会
  • 発表場所: 愛媛県
• [学会発表] m面GaN基板上にNH3-MBE成長したAl0.25Ga0.75Nの時間空間分解CL評価 -GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響- (2012)
  • 著者名/発表者名: 秩父重英,羽豆耕治,石川陽一,田代公則,古澤健太郎,長尾哲,藤戸健史
  • 学会等名: 2012年秋季応用物理学会
  • 発表場所: 愛媛県
• [学会発表] 六方晶BN微結晶の時間・空間分解カソードルミネッセンス評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 石川陽一,田代公則,羽豆耕治,古澤健太郎,小南裕子,原和彦,秩父重英
  • 学会等名: 2012年秋季応用物理学会
  • 発表場所: 愛媛県
• [学会発表] Local carrier dynamics in freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy studied using the spatio-time-resolved cathodoluminescence technique (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Furusawa, Y. Ishikawa, M. Tashiro, K. Hazu, S. Nagao, K. Fujito, A. Uedono, and S. F. Chichibu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
  • 発表場所: Sapporo, Japan