| 研究課題/領域番号 |
24760251
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
有田 宗貴 東京大学, ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構, 特任准教授 (10596951)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2012年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 微小共振器 / ナノ構造 / エッチング / 励起子ポラリトン |
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| 研究概要 |
本研究ではIII族窒化物半導体の新しい加工技術を開発し、共振器を有する光素子構造の作製を通じてその優位性を確認した。窒化ガリウム(GaN)・窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)からなる光素子材料を水素・アンモニア混合雰囲気で加熱処理することにより、GaNのみを選択的に分解除去してAlGaNだけを残す加工技術を確立した。当該加工法を用いて空気層を含む垂直微小共振器構造を作製したところ、わずかな層数の分布ブラッグ反射鏡であっても高い性能を有する共振器が作製可能であることが明らかになり、従来の加工法に対する優位性を確認できた。
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