| 研究課題/領域番号 |
24760252
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
岩崎 孝之 東京工業大学, 理工学研究科, 助教 (80454031)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2012年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / ヘテロエピタキシャル成長 / バッファ層 / 合成 / 合金バッファ層 / パワーデバイス |
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| 研究概要 |
本研究は、次世代低損失パワーデバイス材料であるダイヤモンドのヘテロエピタキシャル合成を目指し、下地となる新規バッファ層の開発およびダイヤモンド合成を行った。新規バッファ層であるCuNi合金およびフッ化グラフェンの形成に成功した。先端放電型プラズマCVDによりCuNi上に置いてダイヤモンド合成を確認した。Cu単体に比べ、CuNi合金上ではダイヤモンドの密度・大きさともに増加した。Cu上では、炭素との吸着力が弱いために表面から脱離してしまうのに対して、CuNi合金上ではNi原子と炭素の結合が強いために強く吸着し、ダイヤモンドの核形成が起こると考えられ、合金バッファ層の優位性を示している。
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