| 研究課題/領域番号 |
24760256
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東京電機大学 (2013)
名古屋大学 (2012) |
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研究代表者 |
石井 聡 東京電機大学, 理工学部, 助教 (90442730)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2012年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ / 嫌気環境システム / 伝導型制御 / 金属被膜 / フレキシブルCNTTFT集積回路 / n-型 / 嫌気環境プロセス / フレキシブルCNTTFT回路 |
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| 研究概要 |
嫌気環境システムを利用して、大気中のAl電極-CNTFETにおけるn-型特性の不安定性の原因が、Al電極の酸化ではなく、デバイス表面への酸素吸着であることを示した。また、グラフィティックカーボン電極-CNTFETにおいて、チャネルCNTの表面に仕事関数の異なる金属被膜を形成することで、両極性デバイスからn-型とp-型のデバイスをそれぞれ作り分けた。さらに、ポリビニルアルコールを利用したCNTネットワーク転写により、プラスチック基板表面にリング発振器を作製して1.1 us/gateの遅延時間を実証すると共に、108個の素子から構成されるフレキシブルCNTTFT中規模集積回路の動作も実証した。
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