| 研究課題/領域番号 |
24760272
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
宇野 和行 山梨大学, 総合研究部, 助教 (20550768)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 光デバイス・光回路 / 高性能レーザー / 光源技術 / プラズマ / 応用光学・量子光工学 / 量子エレクトロニクス |
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| 研究成果の概要 |
エキシマランプ型低ガス圧軸方向放電励起方式による真空紫外レーザー（主に，キセノンエキシマの波長172 nm）の研究において，複数の励起回路によるレーザー発振に寄与する一重項の発光特性が明らかとなった．利得測定では，一重項の発光に伴う増幅または吸収が観測されたが，本測定の問題点も明らかとなった．また，本方式による新しい紫外気体レーザーとして，拡がり角0.3 mradのN2レーザーやパルスインダクティブ放電によるN2レーザーの開発が行われた．
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