| 研究課題/領域番号 |
24760283
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
中岡 俊裕 上智大学, 理工学部, 准教授 (20345143)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2013年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 抵抗変化メモリ / ナノギャップ電極 / 酸化アルミニウム / ReRAM / 配線 / ナノ構造 / 量子ドット |
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| 研究概要 |
本研究では抵抗変化メモリ材料として酸化アルミニウムを用い、電極の幅が40nmのナノスケールギャップ素子と、電極の幅が20μmのマクロスケールギャップ素子を作成した。マクロギャップ素子においては、抵抗スイッチが同一極性で生じるユニポーラ動作を、、ナノギャップ素子においては逆極性で動作するバイポーラ動作を確認した。このような電極間隔に依存する極性動作はこれまでに報告がなく、本研究で明らかになった新しい知見である。
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