| 研究課題/領域番号 |
24760547
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
宮脇 哲也 名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (10596844)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | トポロジカル絶縁体 / ホイスラー合金 / LaPtBi / エピタキシャル薄膜 / 光電子分光 |
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| 研究概要 |
トポロジカル絶縁体と予測されているホイスラー型結晶構造を持つLaPtBi薄膜のエピタキシャル成長方法の確立と、光電子分光法や電気伝導測定などによる物性解明を目的として研究を行った。高規則度LaPtBiエピタキシャル薄膜の成長方法を確立することが出来た。紫外光電子分光により第一原理計算結果とおおむね一致する価電子帯スペクトルが得られた。磁気抵抗効果などの電気伝導測定から、線形なバンド分散および高移動度キャリアの存在が示唆された。これらの成果は、ホイスラー合金LaPtBiがトポロジカル絶縁体の有力な候補であることをはじめて実験的に示したものである。
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