| 研究課題/領域番号 |
24760558
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
複合材料・物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
且井 宏和 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (70610202)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | ダイヤモンド / 炭化ケイ素 / シリカ / 化学気相析出 / 緻密化 / 放電プラズマ焼結 / コア/シェル構造 / 複合体 / 炭化シリコン / コンポジット / コアシェル構造 / 回転式CVD / プラズマ放電焼結 / 粉末コーティング / 難焼結材 / SiC / SiO2 / ナノ膜 |
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| 研究概要 |
従来、緻密なダイヤモンド多結晶体を得るためには、GPaレベルの超高圧下での焼結プロセスを必要とした。本研究では、化学気相析出を援用した粉体表面修飾技術（回転CVD）によりダイヤモンド粉末をSi基セラミックス膜で表面修飾し、これを放電プラズマ焼結（SPS）することで、ダイヤモンドが準安定な低圧力環境下で緻密化することを目的とした。
回転CVD法によりコア（ダイヤモンド）/シェル（SiC）構造のナノコンポジット粉末が得られ、これをSiO2粉末と100 MPa以下でSPS焼結することにより、相対密度が94%、ビッカース硬さが39 GPaのダイヤモンド基SiC-SiO2複合体の作製に成功した。
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