| 研究課題/領域番号 |
24760611
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
金属生産工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
安達 正芳 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (90598913)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2012年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 窒化アルミニウム / 液相成長 / Ga-Alフラックス / 結晶育成 / 窒化アルニミウム |
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| 研究概要 |
AlNはAlGaN系深紫外発光素子の基板として期待される材料である．筆者らはGa-Alフラックスを用いた独自のAlN液相成長技術の開発を行っている．本研究課題により，本手法における酸素の役割が明らかとなり，その結果を元に結晶成長メカニズムが構築された．また，液相成長のテンプレートとして窒化a面サファイア基板を用いることで，サファイア基板上のAlN結晶としては世界最高水準の品質のAlNを作製することに成功した．
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