| 研究課題/領域番号 |
24840014
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
中村 壮智 東京大学, 物性研究所, 助教 (50636503)
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| 研究期間 (年度) |
2012-08-31 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | 超伝導接合 / 近接効果 / アンドレーエフ反射 / スピン軌道相互作用 / スピンホール効果 / スピン流 / スピントロニクス / 希薄磁性半導体 / ジョセフソン効果 / スピン起動相互作用 / スピンフィルター / 超伝導 |
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| 研究概要 |
狭ギャップ半導体であるインジウム砒素の二次元電子系に超伝導体ニオブを低抵抗に接合する方法を開発し、低温で生じるアンドレーエフ反射や超伝導電流を観測した。さらに超伝導接合特性を電流およびスピン流で制御すべくニオブを含む十字構造を形成し超伝導電流に直交するように電流やスピン流を流すことで、超伝導電流やアンドレーエフ束縛状態のコントロールに成功した。
また、近接効果によって染み出す超伝導電子対の対称性を変えるため、量子ポイントコンタクトと超伝導接合のハイブリッド構造の作成や強磁性半導体インジウム鉄砒素の分子線エピタキシー成長も行った。
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