| 研究課題/領域番号 |
24860018
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
熱工学
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| 研究機関 | 独立行政法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
相川 慎也 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, ポスドク研究員 (40637899)
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| 研究期間 (年度) |
2012-08-31 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | カーボンナノチューブ / フレキシブルエレクトロニクス / ポリマー絶縁膜 / 透明導電膜 / プラスチック基板 |
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| 研究概要 |
カーボンナノチューブトランジスタ（CNT-FET）は，一般にp型伝導を示すが，ポリマー塗布により単極性のn型伝導や両極性伝導に変換されることが知られている．本研究では，ポリビニルアルコール（PVA）塗布による伝導型変換を行った．PVA膜の容量-電圧特性の結果，PVA個体中には高密度のバルク正電荷が含まれることが分かった．これによりCNT/PVA界面にキャリアが誘起されるため，CNTチャネルに負電荷が蓄積され伝導型変換が生じたと考えられる．
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