| 研究課題/領域番号 |
24860027
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| 研究種目 |
研究活動スタート支援
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
山根 大輔 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教 (70634096)
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| 研究期間 (年度) |
2012-08-31 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
採択後辞退 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2013年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2012年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | テラヘルツ / MEMS / NEMS / CMOS / めっき / GaAs / 光ミキサ |
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| 研究概要 |
本研究の目的は，大面積ボトムアップ手法（無電解金ナノめっき）により，従来のトップダウン手法（リソグラフィ）では到達困難な超微細電極ギャップを作製し，光通信波長帯の半導体レーザ励起による低コスト・高光度かつ室温動作のテラヘルツ（0.1～10THz）光源を実現することである．初年度の研究実施計画は，無電解金めっきによる電極間ギャップ5nm以下，アスペクト比10以上の超微細厚膜電極の作製である．したがって本年度ではナノ電極作製に注力した．また，3次元電磁界シミュレータHFSSを利用して，ナノギャップ電極およびアンテナ素子（ダイポール型，ボウタイ型，およびスパイラル型）をモデル化し，テラヘルツ波に対する応答をシミュレーションした．ナノギャップ電極の作製では，共同研究者の真島豊教授（東京工業大学応用セラミック研究所）と共同研究を行い，真島研究室所有の電子ビーム描画装置と無電解めっきの条件検索から取り組んだ．GaAs基板を使用する前に，まず単結晶シリコン基板上へ所望の電極パターンを作製した．設計パラメータを電極幅，電極間隔，電極先端ギャップに絞り，他の設計値（デバイス全体のサイズ，パッドサイズなど）は先行研究に習った．シリコン基板上において歩留りの高い設計値は，電極間300nm，電極幅50nmであった．電極間ギャップの最小値は約8nmを達成しており，これは目標値により3nmほど足りないものの，先行研究デバイスよりも10分の1以下の電極ギャップであり，さらに，FIB（Focused Ion Beam）加工などによる基板への物理的ダメージがないため，テラヘルツ波発生効率の大幅な増加が期待できる．シリコン基板上でのプロセス検討後は，GaAs基板上での電極作製へ移行した．これまでに，GaAs基板でもシリコン基板と同等の微細電極を実現しており，今後はアンテナパターンとあわせたデバイス作製を行う．
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| 現在までの達成度 (区分) |
理由
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
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