人類のフロンティア拡大を支えるSiC極限環境エレクトロニクスの確立

• 研究課題/領域番号: 24H00035
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分C
• 研究機関: 広島大学
• 研究代表者: 黒木 伸一郎 広島大学, 半導体産業技術研究所, 教授 (70400281)
• 研究分担者: 田中 保宣 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究センター長 (20357453) ; 児島 一聡 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (40371041) ; 大島 武 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, センター長 (50354949) ; 武山 昭憲 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (50370424) ; 牧野 高紘 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (80549668)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 187,070千円 (直接経費: 143,900千円、間接経費: 43,170千円); 2025年度: 40,820千円 (直接経費: 31,400千円、間接経費: 9,420千円); 2024年度: 50,700千円 (直接経費: 39,000千円、間接経費: 11,700千円)
• キーワード: SiC / CMOS集積回路 / 耐放射線 / 高温 / ワイドバンドギャップ半導体

研究開始時の研究の概要

20世紀、人類の活動フロンティアは宇宙などの地理的最前線、大型加速器や核融合などの科学的最前線とともに進んできた。これを大きく支えたのは半導体エレクトロニクスであるが、活動の場がより極限的環境に進み、現在の性能では不足となりつつある。SiC半導体はバンドギャップが広くまた原子間結合が強いため、SiCデバイスは高放射線・高温などの極限環境でも駆動可能である。本研究では、極限環境下でも駆動可能なSiC極限環境エレクトロニクスの研究を進め、これを確立する。特に福島第一原子力発電所廃炉に必要とされるMGy級の耐放射線性を有し、500℃の高温でも動作可能な集積回路構築を目的とする。