固体表面におけるスピン・プロトン・電荷ダイナミクス

• 研究課題/領域番号: 24H00040
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分D
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 福谷 克之 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (10228900)
• 研究分担者: 岡田 美智雄 大阪大学, 放射線科学基盤機構, 教授 (30281116) ; Dino Wilson 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (60379146)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 205,010千円 (直接経費: 157,700千円、間接経費: 47,310千円); 2025年度: 55,900千円 (直接経費: 43,000千円、間接経費: 12,900千円); 2024年度: 64,350千円 (直接経費: 49,500千円、間接経費: 14,850千円)
• キーワード: 水素 / 表面スピン構造 / スピン緩和 / 吸着・反応

研究開始時の研究の概要

水素をエネルギー源として利用するためには、水素を生成、貯蔵、エネルギーへ変換することが必要であり、そのとき固体表面での水素のダイナミクスが重要な鍵を握る。水素は軽元素であるうえにスピンの自由度を持つため、そのダイナミクスにおいてトンネル効果や量子回転などの量子性を示す。本研究では、水素の持つ自由度であるスピン、プロトン、電荷の観点から水素の表面ダイナミクスの理解を深めるとともに、磁性や外部磁場を利用した表面反応制御の可能性を探索する。