| 研究課題/領域番号 |
24H00041
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
大区分D
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
八島 正知 東京工業大学, 理学院, 教授 (00239740)
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| 研究分担者 |
石原 達己 九州大学, 工学研究院, 教授 (80184555)
松本 広重 九州大学, カーボンニュートラル・エネルギー国際研究所, 教授 (70283413)
藤井 孝太郎 東京工業大学, 理学院, 助教 (30635123)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
201,240千円 (直接経費: 154,800千円、間接経費: 46,440千円)
2024年度: 49,140千円 (直接経費: 37,800千円、間接経費: 11,340千円)
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| キーワード | イオン伝導体 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本課題では新物質探索を行い，Norbyギャップ内での高イオン伝導を実現し，その伝導機構を解明する．そしてNorbyギャップ内の高イオン伝導を実現するための新学理を追求する．そして，なぜ高速イオン伝導が起こるのか？というイオン伝導の新学理も構築する．多様な元素を組み合わせた，多様な構造を持つ新材料の探索だけではなく，未踏領域における新物質探索を行う，基本物質であっても大量に存在する「本質的な」酸素空孔を利用する，複数のカチオンだけでなく複数のアニオンも用いるなどのアプローチにより，新物質・新イオン伝導体(固体電解質，電極材料)を創製する．
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