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Norbyギャップ内の高イオン伝導体の創製

研究課題

研究課題/領域番号 24H00041
研究種目

基盤研究(S)

配分区分補助金
審査区分 大区分D
研究機関東京科学大学

研究代表者

八島 正知  東京科学大学, 理学院, 教授 (00239740)

研究分担者 藤井 孝太郎  法政大学, 生命科学部, 准教授 (30635123)
松本 広重  九州大学, カーボンニュートラル・エネルギー国際研究所, 教授 (70283413)
石原 達己  九州大学, 工学研究院, 教授 (80184555)
研究期間 (年度) 2024-04-01 – 2029-03-31
研究課題ステータス 交付 (2025年度)
配分額 *注記
201,240千円 (直接経費: 154,800千円、間接経費: 46,440千円)
2025年度: 49,790千円 (直接経費: 38,300千円、間接経費: 11,490千円)
2024年度: 49,140千円 (直接経費: 37,800千円、間接経費: 11,340千円)
キーワードイオン伝導体
研究開始時の研究の概要

本課題では新物質探索を行い,Norbyギャップ内での高イオン伝導を実現し,その伝導機構を解明する.そしてNorbyギャップ内の高イオン伝導を実現するための新学理を追求する.そして,なぜ高速イオン伝導が起こるのか?というイオン伝導の新学理も構築する.多様な元素を組み合わせた,多様な構造を持つ新材料の探索だけではなく,未踏領域における新物質探索を行う,基本物質であっても大量に存在する「本質的な」酸素空孔を利用する,複数のカチオンだけでなく複数のアニオンも用いるなどのアプローチにより,新物質・新イオン伝導体(固体電解質,電極材料)を創製する.

報告書

(2件)
  • 2024 研究概要(採択時) ( PDF )   審査結果の所見

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公開日: 2024-04-05   更新日: 2025-06-20  

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