| 研究課題/領域番号 |
24H00048
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
大区分D
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| 研究機関 | 国立研究開発法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
平山 秀樹 国立研究開発法人理化学研究所, 開拓研究本部, 主任研究員 (70270593)
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| 研究分担者 |
林 宗澤 東北大学, 電気通信研究所, 特任准教授 (40585155)
王 利 国立研究開発法人理化学研究所, 光量子工学研究センター, 研究員 (50804035)
藤川 紗千恵 埼玉大学, 理工学研究科, 助教 (90550327)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
204,750千円 (直接経費: 157,500千円、間接経費: 47,250千円)
2024年度: 56,810千円 (直接経費: 43,700千円、間接経費: 13,110千円)
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| キーワード | 量子カスケードレーザー / テラヘルツ / サブバンド間遷移発光 / 窒化物半導体 / MBE結晶成長 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
微小サイズで高強度のテラヘルツ光を発生するテラヘルツ量子カスケードレーザー（THz-QCL）は、非破壊・透視検査用、車載レーダー、次世代通信用の光源などの幅広い応用が期待されている。しかし、THz-QCLは低温でしか動作せず周波数範囲も限られている。本研究では、THz-QCLの常温発振と動作周波数領域の拡大を行う。常温動作を実現するために、複数の電子リークチャネルを完全に遮断した「アイソレート3準位」機構を導入し、それを用いて300K以上の動作を実現する。さらに、未踏周波数5～12THz帯、及び、3μmより短波長の赤外のQCLを実現するために、GaN系窒化物半導体を導入しこれを実現する。
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