研究課題/領域番号 |
24H00205
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分14:プラズマ学およびその関連分野
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研究機関 | 九州大学 |
研究代表者 |
白谷 正治 九州大学, システム情報科学研究院, 教授 (90206293)
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研究分担者 |
布村 正太 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (50415725)
鎌滝 晋礼 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (60582658)
古閑 一憲 九州大学, システム情報科学研究院, 教授 (90315127)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
47,580千円 (直接経費: 36,600千円、間接経費: 10,980千円)
2024年度: 16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
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キーワード | プラズマプロセス / 膜形成 / 一般則 / EDA |
研究開始時の研究の概要 |
長年、成膜プロセスは、所望の膜質を実現する外部パラメータを実験的に探索する手法にとらわれているのが現状である。それは、成膜プロセスから膜質を理論的に同定する方法論が確立されていないためである。そこで、本研究は、プラズマ内部パラメータと膜質の定量的関係の一般則を導出することを目的としている。そこで、本研究では、① 電子密度やイオンエネルギーなどのプラズマ内部パラメータを発光情報から導出する定量的法則を見出すこと、②膜質のin-situ計測と大量データ収集システムを構築し、③ 外部パラメータ×プラズマ内部パラメータ×膜質の総合的な定量的な関係則を見出し、プラズマプロセス膜形成の一般則を導出する。
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