| 研究課題/領域番号 |
24H00230
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分15:素粒子、原子核、宇宙物理学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北工業大学 |
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研究代表者 |
小野寺 敏幸 東北工業大学, 工学部, 教授 (10620916)
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| 研究分担者 |
野上 光博 東北大学, 工学研究科, 助手 (10847304)
豊川 秀訓 甲南大学, 自然科学研究科, 特別研究員 (60344397)
人見 啓太朗 東北大学, 工学研究科, 准教授 (60382660)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
49,660千円 (直接経費: 38,200千円、間接経費: 11,460千円)
2025年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2024年度: 34,450千円 (直接経費: 26,500千円、間接経費: 7,950千円)
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| キーワード | TlBr |
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| 研究開始時の研究の概要 |
半導体放射線イメージングは、半導体SPECTやフォトンカウンティングCTのような先端医療技術を生み出したが、課題は、検出器材料（CdTe、CdZnTe等）の吸収効率の制限による100keV以上のエネルギー帯における検出感度の不足である。臭化タリウム（TlBr）は、前述材料に対して2倍以上の検出効率を持つ化合物半導体である。本研究ではTlBrの高品質結晶成長技術とディープ・サブミクロンCMOSプロセスによる大規模読み出し集積回路技術を利用し、既存材料が抱える感度低下の課題解決と高精細化・大面積化を図り、世界初の100keVから数MeV領域での高精細・高感度フォトンイメージングを実現する。
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