| 研究課題/領域番号 |
24H00285
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分18:材料力学、生産工学、設計工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
中村 篤智 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 教授 (20419675)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
48,230千円 (直接経費: 37,100千円、間接経費: 11,130千円)
2024年度: 20,020千円 (直接経費: 15,400千円、間接経費: 4,620千円)
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| キーワード | 非対称構造 / 転位 / 構造電荷 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
半導体材料の力学特性が光環境に依存して変化する現象が注目されている．代表者らは，そうした力学特性に及ぼす光の効果を調査する手法を開発し，系統的に検討してきた．その結果，転位の構造電荷が力学特性に大きく影響していることが見えてきた．そして，結晶構造の非対称性が及ぼす影響を理解する必要があるとの認識に至った．そこで本研究では，非対称構造型半導体における転位挙動に及ぼす構造電荷の影響を合理的に調査する．
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