狭ギャップIV族半導体を用いたフレキシブル多接合太陽電池用ボトムセルの開発

• 研究課題/領域番号: 24H00305
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 筑波大学
• 研究代表者: 都甲 薫 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (30611280)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 47,320千円 (直接経費: 36,400千円、間接経費: 10,920千円); 2024年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
• キーワード: 太陽電池

研究開始時の研究の概要

高い変換効率をもちながらどこにでも設置できる「フレキシブル多接合太陽電池」の実現が望まれているが、そのボトムセル（近赤外光吸収層）の開発がボトルネックとなっている。申請者は最近、ボトムセル材料の筆頭候補であるゲルマニウムについて世界最高水準の薄膜低温合成技術を開発し、ボトムセル薄膜として初となる光励起キャリアの取り出しに成功した。本研究では、申請者独自の薄膜技術をシーズとし、多結晶IV族混晶半導体の結晶性と電気特性および光学特性の相関を初めて体系化するとともに、プラスチック上ボトムセルとして最高性能を達成する。