| 研究課題/領域番号 |
24H00308
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
喜多 浩之 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授 (00343145)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
49,270千円 (直接経費: 37,900千円、間接経費: 11,370千円)
2024年度: 30,940千円 (直接経費: 23,800千円、間接経費: 7,140千円)
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| キーワード | 電子・電気材料 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 省エネルギー / 電子デバイス・機器 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
様々な機器の電力利用効率を向上させるSiCパワーMOSFETには，さらなる性能向上の余地が大きく残され，特にチャネル抵抗低減への期待が大きい。チャネル特性の改善が進まない主な要因は，界面構造の何がキャリアを捕獲するのか，キャリアを強く散乱する実体は何かが不明確なまま残されているからである。そこで本研究では(A)窒素による表面終端の高効率化，(B)ゲート絶縁膜SiO2中の構造緩和による遅い欠陥準位の低減，(C)SiC表面近傍に導入される欠陥構造の修復，の3つの界面特性改善プロセスについて，これらに関与するSiC表面・界面現象の理解を進めた上で，界面形成プロセスの設計とその効果実証を行う。
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