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SiC表面・界面で生じる固有な現象の正しい理解とそれに基づくMOS界面特性の制御
研究課題
サマリー
2024年度
基礎情報
研究課題/領域番号
24H00308
研究種目
基盤研究(A)
配分区分
補助金
応募区分
一般
審査区分
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
研究機関
東京大学
研究代表者
喜多 浩之
東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授 (00343145)
研究期間 (年度)
2024-04-01 – 2027-03-31
研究課題ステータス
採択 (2024年度)
配分額
*注記
49,270千円 (直接経費: 37,900千円、間接経費: 11,370千円)
2024年度: 30,940千円 (直接経費: 23,800千円、間接経費: 7,140千円)