酸化物半導体が駆動する次世代強誘電体メモリデバイスの大規模集積化に関する研究

• 研究課題/領域番号: 24H00309
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 小林 正治 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (40740147)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 48,100千円 (直接経費: 37,000千円、間接経費: 11,100千円); 2024年度: 17,160千円 (直接経費: 13,200千円、間接経費: 3,960千円)
• キーワード: 酸化物半導体

研究開始時の研究の概要

本研究では、①プロセッサとメモリの間のデータ伝送効率を向上させるためにFeRAMをプロセッサ直上にモノリシック三次元集積化にすべく、原子層堆積法で酸化物半導体を原子層レベルで均一に成膜する技術を確立し、高移動度・ノーマリーオフ動作・高信頼性・低特性ばらつきを有するナノシート酸化物半導体トランジスタを実現、②高密度・大容量メモリとしてFeFETメモリを三次元垂直チャネル型にすべく、原子層堆積法で酸化物半導体を三次元積層構造に均一に成膜する技術を確立し、三次元構造でHfO2系材料が強誘電性を発現する条件を獲得しデバイスを試作、優れたメモリ特性と高い信頼性を実現、する。