| 研究課題/領域番号 |
24H00310
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
藤岡 洋 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (50282570)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
48,230千円 (直接経費: 37,100千円、間接経費: 11,130千円)
2024年度: 18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム / ワイドギャップ半導体 / パワーエレクトロニクス / 高周波素子 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
高Al組成AlGaNはGaNやSiC、ダイヤモンド等よりもバンドギャップが大きいため次々世代パワー素子材料として大いに期待されているが、その伝導帯エネルギー準位が高いため効率よく電子を注入することは困難とされてきた。我々は最近、パルス・スパッタ堆積（PSD）法とよばれる新しい手法でGaN結晶を合成すると、ドナー濃度を縮退状態にまで高めることができ、モス - バーシュタイン効果（M-B効果）によって電子のエネルギーを高められることを確認した。本提案では、MB効果によって電子エネルギーを高めた縮退窒化物層を電子注入材料としてもちいることにより、究極の高性能AlGaN電子素子を実現する。
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