シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生

• 研究課題/領域番号: 24H00312
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 静岡大学
• 研究代表者: 小野 行徳 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80374073)
• 研究分担者: 堀 匡寛 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (50643269)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 46,540千円 (直接経費: 35,800千円、間接経費: 10,740千円); 2025年度: 11,830千円 (直接経費: 9,100千円、間接経費: 2,730千円); 2024年度: 10,530千円 (直接経費: 8,100千円、間接経費: 2,430千円)
• キーワード: 電子流体 / Si / MOSトランジスタ / シリコン

研究開始時の研究の概要

トランジスタの微細化も間もなく終焉を迎え、集積回路のエネルギー消費削減には革新的なブレークスルーが必要になってきている。しかし、外的散乱過程が電子伝導を支配する限り、エネルギーの散逸は避けがたく、これが集積回路のさらなる発展を阻害する根源的な問題となっている。
本課題では、従来、重要な散乱過程とは認識されていなかった電子・電子散乱に着目し、これに起因する電子流体効果をMOS電子系で発現させこれを制御する。これにより、電子流体が本質的に有するエネルギー保存性という特性を引き出し、従来型デバイスの原理的限界を超えた高駆動力と低消費電力性を有する新原理デバイスを提案し、これを実証する。