| 研究課題/領域番号 |
24H00314
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (40715439)
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| 研究分担者 |
片瀬 貴義 東京工業大学, 元素戦略MDX研究センター, 准教授 (90648388)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
48,230千円 (直接経費: 37,100千円、間接経費: 11,130千円)
2025年度: 11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
2024年度: 19,760千円 (直接経費: 15,200千円、間接経費: 4,560千円)
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| キーワード | 14族半導体 / 薄膜 / 結晶成長 / フォノンドラッグ / 熱電変換 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
従来のモデルでは説明できない巨大なフォノンドラッグ効果（格子振動に電子が引きずられて発電する現象）が14族半導体薄膜で発現すること、そのパワーファクタは他を凌駕することを発見したが、室温ではその効果は消失してしまう。この課題解決に向け、本研究ではフォノン輸送及び電子構造のアプローチの観点から、硬い材料、重い有効質量を有する電子、高キャリア密度が期待できる新奇層状物質を用いることで、以前より巨大なパワーファクタを室温にて達成する。電子構造や非調和フォノンの計算技術も新たに導入し、フォノンドラッグを司っている結晶構造、電子・フォノン構造を明確化し、室温フォノンドラッグの新概念構築を目指す。
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