低温ナノ接合界面における光電子機能創成と革新的ヘテロ集積デバイス技術基盤への展開

• 研究課題/領域番号: 24H00318
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 多喜川 良 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (80706846)
• 研究分担者: 山口 祐也 国立研究開発法人情報通信研究機構, ネットワーク研究所フォトニックICT研究センター, 主任研究員 (30754791) ; 坂本 高秀 東京都立大学, システムデザイン研究科, 准教授 (70392727) ; 小川 貴史 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (90515561)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 46,670千円 (直接経費: 35,900千円、間接経費: 10,770千円); 2024年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
• キーワード: 常温接合 / 光実装・集積 / 光電融合 / 計算材料科学 / ハイブリッドボンディング

研究開始時の研究の概要

社会全体のデジタル化に向けて、超小型・高速・低消費電力化を実現する光電融合チップが要求されている。本研究では、多彩な異種材料光・電子チップの異機能統合・積層を低温プロセスで可能とする高度な接合界面創成技術を開発し、汎用性の高いヘテロ集積デバイス基盤製造技術として展開する。ここでは、半導体ハイブリッド面上に強誘電体薄膜を搭載した構造からなる光・電子異機能統合型チップの実現に繋げる。