| 研究課題/領域番号 |
24H00376
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分26:材料工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
大場 史康 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (90378795)
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| 研究分担者 |
平松 秀典 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (80598136)
高橋 亮 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (80822311)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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| 配分額 *注記 |
47,580千円 (直接経費: 36,600千円、間接経費: 10,980千円)
2024年度: 17,160千円 (直接経費: 13,200千円、間接経費: 3,960千円)
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| キーワード | ワイドギャップ半導体 / 第一原理計算 / 機械学習 / 点欠陥 / ドーピング |
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| 研究開始時の研究の概要 |
理論計算と機械学習によりワイドギャップ半導体として未開拓なオキシカルコゲナイドの特性を俯瞰的に解明する。とくに多元系に特有の多彩な固有点欠陥・ドーパントの局所構造や電子状態を把握し、その知見を指針としたハイスループットスクリーニングにより有望物質を提案し、材料創製へと展開する。以上の一連の研究により、オキシカルコゲナイドの欠陥に関する学理の構築に貢献するとともに、新規ワイドギャップ半導体の開拓を目指す。
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