研究課題/領域番号 |
24H00384
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分26:材料工学およびその関連分野
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研究機関 | 大阪大学 |
研究代表者 |
吉川 健 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90435933)
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研究分担者 |
小泉 雄一郎 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (10322174)
鹿園 直毅 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (30345087)
奥川 将行 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (70847160)
中本 将嗣 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (80467539)
川西 咲子 京都大学, エネルギー科学研究科, 准教授 (80726985)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
48,360千円 (直接経費: 37,200千円、間接経費: 11,160千円)
2024年度: 20,410千円 (直接経費: 15,700千円、間接経費: 4,710千円)
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キーワード | 3DxTイメージング / 界面過飽和度 / SiC / フェーズフィールドシミュレーション |
研究開始時の研究の概要 |
本研究では、①高温溶液成長界面の3DxTイメージング法を確立し、温度・流れ場の完全把握下での界面成長挙動を観察、②レーザー干渉像からの3次元界面成長構造のリアルタイム評価、③フェーズフィールドモデリングによる成長構造の再現とデータ同化による界面過飽和度分布・ステップ物性の同時決定、界面過飽和度の成長環境因子によるモデル化、④界面過飽和度モデルを搭載した界面成長モジュールを結晶成長シミュレータに導入し、単結晶溶液成長による実証試験、を行い、界面過飽和度の解明に挑戦する。
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