高温溶液成長の3DxTイメージングとフェーズフィールドアナリシス

• 研究課題/領域番号: 24H00384
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分26:材料工学およびその関連分野
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 吉川 健 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90435933)
• 研究分担者: 小泉 雄一郎 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (10322174) ; 鹿園 直毅 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (30345087) ; 奥川 将行 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (70847160) ; 中本 将嗣 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (80467539) ; 川西 咲子 京都大学, エネルギー科学研究科, 准教授 (80726985)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 48,360千円 (直接経費: 37,200千円、間接経費: 11,160千円); 2025年度: 9,360千円 (直接経費: 7,200千円、間接経費: 2,160千円); 2024年度: 20,410千円 (直接経費: 15,700千円、間接経費: 4,710千円)
• キーワード: 3DxTイメージング / 界面過飽和度 / SiC / フェーズフィールドシミュレーション

研究開始時の研究の概要

本研究では、①高温溶液成長界面の3DxTイメージング法を確立し、温度・流れ場の完全把握下での界面成長挙動を観察、②レーザー干渉像からの3次元界面成長構造のリアルタイム評価、③フェーズフィールドモデリングによる成長構造の再現とデータ同化による界面過飽和度分布・ステップ物性の同時決定、界面過飽和度の成長環境因子によるモデル化、④界面過飽和度モデルを搭載した界面成長モジュールを結晶成長シミュレータに導入し、単結晶溶液成長による実証試験、を行い、界面過飽和度の解明に挑戦する。