次世代半導体を目指した二次元物質の成長機構の学理と集積化技術の開発

• 研究課題/領域番号: 24H00407
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 吾郷 浩樹 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (10356355)
• 研究分担者: 碇 智徳 宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (40419619) ; 原 正大 熊本大学, 大学院先端科学研究部(理), 准教授 (50392080)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 47,840千円 (直接経費: 36,800千円、間接経費: 11,040千円); 2024年度: 14,820千円 (直接経費: 11,400千円、間接経費: 3,420千円)
• キーワード: 遷移金属ダイカルコゲナイド / 六方晶窒化ホウ素 / CVD / 転写 / トランジスタ

研究開始時の研究の概要

近年、ポストシリコンを担う次世代半導体材料として、原子レベルの厚さの二次元物質が大きな期待を集めている。本研究では、二次元の半導体である遷移金属ダイカルコゲナイドと絶縁体である六方晶窒化ホウ素の高品質合成法に関する研究を行い、二次元物質の結晶成長の学理構築を目指す。さらに、独自の転写法を活用して、高度な積層構造体を作製し、優れた特性を示す半導体デバイスの実現を目指した研究も行う。これらの取り組みにより、将来の二次元デバイスの根幹をなし、世界を先導する研究成果の創出につなげる。