| 研究課題/領域番号 |
24H00408
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
介川 裕章 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, グループリーダー (30462518)
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| 研究分担者 |
柳原 英人 筑波大学, 数理物質系, 教授 (50302386)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
48,360千円 (直接経費: 37,200千円、間接経費: 11,160千円)
2025年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
2024年度: 19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
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| キーワード | スピントロニクス / 強磁性トンネル接合 / 磁性薄膜 / エピタキシャル成長 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究課題ではトンネル磁気抵抗素子のバリア層界面から原子ステップを極限まで減少させることで、完全なコヒーレントトンネルの実現を目指す。これにより、かつてない程の大きな室温トンネル磁気抵抗比の達成を狙う。本研究課題の推進によってトンネル磁気抵抗素子に残る原子ステップが、トンネル磁気抵抗比の大きさを左右するコヒーレントトンネル過程へ与える影響が明らかになると期待できる。これにより超大容量磁気メモリなど革新的なスピンデバイスの実現に向けた重要な素子設計指針が導かれることも期待できる。
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