| 研究課題/領域番号 |
24H00414
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分29:応用物理物性およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
山末 耕平 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70467455)
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| 研究分担者 |
長 康雄 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (40179966)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
48,360千円 (直接経費: 37,200千円、間接経費: 11,160千円)
2025年度: 10,790千円 (直接経費: 8,300千円、間接経費: 2,490千円)
2024年度: 20,670千円 (直接経費: 15,900千円、間接経費: 4,770千円)
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| キーワード | 走査型非線形誘電率顕微鏡 / パワーエレクトロニクス / 半導体 / 局所DLTS / 局所CV特性測定 / ワイドバンドギャップ半導体 / プローブ顕微鏡 / MOSFET |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では，SiC，GaN，ダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワー半導体デバイスの研究開発に貢献するため，ナノスケール計測技術の開発を目指す．中核となるのは，走査型非線形誘電率顕微鏡技術（SNDM）である．時間分解SNDMの高感度化・広帯域化を行い，活性化ドーパント濃度分布観察や界面欠陥の密度分布観察が可能な顕微鏡技術，物性異常の起源を特定可能な顕微分光法を実現する．また，SNDMによる計測結果からパワーデバイスの特性予測を可能とするシミュレーション手法を確立する．これにより，我が国発の独自のナノスケール半導体評価に関する先端計測機器とその学術の創出を目指す．
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