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半導体化学気相成長の科学

研究課題

研究課題/領域番号 24H00432
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
研究機関九州大学

研究代表者

寒川 義裕  九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90327320)

研究分担者 草場 彰  九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (70868926)
杉山 佳奈美  京都大学, 工学研究科, 助教 (70974377)
新田 州吾  名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授 (80774679)
研究期間 (年度) 2024-04-01 – 2028-03-31
研究課題ステータス 交付 (2024年度)
配分額 *注記
47,840千円 (直接経費: 36,800千円、間接経費: 11,040千円)
2025年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)
2024年度: 13,260千円 (直接経費: 10,200千円、間接経費: 3,060千円)
キーワード化学気相成長 / 表面プロセス / 反応経路探索
研究開始時の研究の概要

半導体テクノロジー推進の根幹である化学気相成長は、気相反応、表面反応、固相拡散の素過程が絡み合う複雑系であり、その体系化は科学・工学分野における重要な研究課題である。本研究では、化学気相成長プロセスをそのまま丸ごと仮想空間に再現する技術(eXtensible Simulator Suite for Chemical Vapor Deposition, eXS2-CVD)を開発・展開し、化学気相成長に関する普遍的な物理学的知見を明らかにする。

報告書

(1件)
  • 2024 審査結果の所見

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公開日: 2024-04-05   更新日: 2025-04-17  

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