半導体化学気相成長の科学

• 研究課題/領域番号: 24H00432
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90327320)
• 研究分担者: 草場 彰 九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (70868926) ; 杉山 佳奈美 京都大学, 工学研究科, 助教 (70974377) ; 新田 州吾 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授 (80774679)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 47,840千円 (直接経費: 36,800千円、間接経費: 11,040千円); 2024年度: 13,260千円 (直接経費: 10,200千円、間接経費: 3,060千円)
• キーワード: 化学気相成長 / 表面プロセス / 反応経路探索

研究開始時の研究の概要

半導体テクノロジー推進の根幹である化学気相成長は、気相反応、表面反応、固相拡散の素過程が絡み合う複雑系であり、その体系化は科学・工学分野における重要な研究課題である。本研究では、化学気相成長プロセスをそのまま丸ごと仮想空間に再現する技術（eXtensible Simulator Suite for Chemical Vapor Deposition, eXS2-CVD）を開発・展開し、化学気相成長に関する普遍的な物理学的知見を明らかにする。