研究課題/領域番号 |
24H00468
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分34:無機・錯体化学、分析化学およびその関連分野
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研究機関 | 東京理科大学 |
研究代表者 |
西原 寛 東京理科大学, 研究推進機構総合研究院, 教授 (70156090)
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研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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研究課題ステータス |
交付 (2024年度)
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配分額 *注記 |
47,060千円 (直接経費: 36,200千円、間接経費: 10,860千円)
2024年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
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キーワード | 二次元物質 / 金属錯体 / 化学構造 / ヘテロ構造 / 電子構造 |
研究開始時の研究の概要 |
配位ナノシートとは、金属イオンと平面形の架橋有機π配位子との結合で構成される二次元共役ポリマーの極薄膜であり、金属的な性質を示す配位ナノシートは2013年に報告されて以来、国際的研究競争の対象である。これまで単一金属種の配位ナノシートが主たる研究対象となってきたが、本研究では、多種金属を自在にかつ精密に配列した新規なヘテロ金属配位ナノシートを対象とし、その化学構造、電子構造を最適化することによって、高活性電極触媒、高容量二次電池、超薄膜電子・光デバイスなどを革新する二次元物質を創製し、新たな配位ナノシート研究ステージを創出する。
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