耐放射線集積回路における吸収線量に応じたクロックスキュー最適化法

• 研究課題/領域番号: 24H00693
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分60:情報科学、情報工学およびその関連分野
• 研究機関: 岡山大学
• 研究代表者: 渡邊 実 岡山大学, 環境生命自然科学学域, 教授 (30325576)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 47,190千円 (直接経費: 36,300千円、間接経費: 10,890千円); 2025年度: 21,970千円 (直接経費: 16,900千円、間接経費: 5,070千円); 2024年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
• キーワード: 耐放射線デバイス / プログラマブルデバイス / FPGA / トータルドーズ耐性 / クロックスキュー

研究開始時の研究の概要

既存のCMOS集積回路(VLSI)は放射線に対して極めて脆弱であり、そのトータルドーズ耐性(放射線耐性）は1～20kGyに留まる。研究代表者はプログラマブルなアーキテクチャに光並列構成法を導入することで、放射線により集積回路上のいかなる個所が破壊されたとしても、絶対にプログラミング機能が停止せず、故障個所を回避して使い続けることのできる光プログラマブルデバイスの開発に世界で初めて成功した。本研究では放射線の吸収線量に応じたクロックスキューの理論解析に取り組み、吸収線量に応じてクロックスキューマージンを最適化する手法を確立する。