UV光照射によるネガ型レジストの電子ビーム露光での感度向上

• 研究課題/領域番号: 24H02555
• 研究種目: 奨励研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 2150:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 田村 茂雄 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 技術支援員
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2025-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2024年度)
• 配分額: 450千円 (直接経費: 450千円); 2024年度: 450千円 (直接経費: 450千円)

研究開始時の研究の概要

電子ビーム露光による微細加工は、数ナノメートルまで収束可能な電子ビームにより微細加工に優れ、任意のパターン形状の露光が可能である。電子ビーム露光はパターンを電子ビームで偏向可能なフィールド毎にウェーハを移動して順次露光するため大面積パターンでは、大きな偏向幅が得られず露光時間が長くなりスループットが低下する原因の一つとなる。その対策のためUV光に感受性があるネガ型レジストによる電子ビーム露光において、レジストの感度を向上させるために、電子ビーム露光後のレジストにUV光を重ね合わせて一括照射露光する。これによりパターン形成に必要な電子ビーム露光量を低減させ、レジストの高感度化を実現する。